二手电子显微镜，二手FIB

聚焦离子束显微镜FIB主要用途: 芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。

聚焦离子束显微镜FIB应用范围:

1.定点切割 

2.穿透式电子显微镜试片 

3.IC线路修补和布局验证 

4.制程上异常观察分析 

5.晶相特性观察分析 

6.故障位置定位用被动电压反差分析。

在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作有很大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作有很大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。封装后的芯片，经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要连接的两个金属导线，利用离子束沉积Pt材料，从而将两条导线连接在一起，由此可大大缩短芯片的开发时间。

这也是芯片解密常用到手法。 

利用聚焦离子束进行线路修改，（A）、（B）将欲连接线路上的钝化层打开，（C） 沉积Pt材料将两个线路连接起来。

芯片线路修改：

其实FIB被应用于修改芯片线路只是其功能之一，这里介绍一下另几个功能：样品原位加工 可以想象，聚焦离子束就像一把尖端只有数十纳米的手术刀。离子束在靶材表面产生的二次电子成像有纳米级别的显微分辨能力，所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高倍显微镜下操作的微加工台，它可以用来在任何一个部位溅射剥离或沉积材料。图1是使用聚焦离子束系统篆刻的数字；图2则是在一个纳米带上加工的阵列孔；图3是为加工的横向存储器单元阵列。

剖面制备观察 微电子、半导体以及各型功能器件领域中，由于涉及工艺较多且繁杂。一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与设计指标的偏差，器件测试后的失效，逻辑功能的异常等等，对于上述问题的直观可靠的分析就是制备相应的器件剖面，从物理层次直观的表征造成器件异常的原因。

电镜：

透射（TEM）制样 无论是透射电镜还是扫描透射电镜样品都需要制备非常薄的样品，以便电子能够穿透样品，形成电子衍射图像。传统的制备TEM样品的方法是机械切片研磨，用这种方法只能分析大面积样品。采用聚焦离子束则可以对样品的某一局部切片进行观察。与切割横截面的方法一样，制作TEM样品是利用聚焦离子束从前后两个方向加工，最后在中间留下一个薄的区域作为TEM观察的样品。下图所示为TEM制样的工艺过程。